China ya tiene un prototipo propio de una fuente de luz UVE para…

China avanza con firmeza en la creación de sus propias máquinas de fotolitografía de ultravioleta extremo (UVE), tecnología indispensable para fabricar circuitos integrados de vanguardia con costes y rendimientos competitivos. El gobierno de Xi Jinping pretende contar con equipos UVE propios antes de que finalice la década, aunque la complejidad de diseñar una fuente de luz estable de 13,5 nm impide que el objetivo se alcance de inmediato. Las sanciones de Estados Unidos y de los Países Bajos impiden que ASML, el único fabricante mundial de estos sistemas, venda sus equipos a clientes chinos.

Huawei y su prototipo en Shenzhen

Desde hace más de un año, Huawei dispone de un prototipo de máquina UVE operativo en un laboratorio de alta seguridad en Shenzhen. A pesar de su funcionamiento, la compañía no ha logrado fabricar circuitos integrados funcionales con la tecnología. El proyecto, aunque prometedor, sigue en fase de prueba y no ha llegado a la producción de chips.

Langdao Silex y la Feria de la Industria Internacional de China

La empresa emergente Langdao Silex, con sede en Shanghái, presentó en la Feria de la Industria Internacional de China un prototipo de sistema de generación de luz UVE que, según la compañía, se asemeja a los equipos de ASML. Langdao Silex afirma que el noventa por ciento de los componentes de su prototipo son fabricados nacionalmente. Los responsables de la firma reconocen que la producción en serie se proyecta entre tres y cinco años, lo que indica que la tecnología aún está lejos de estar disponible a gran escala.

El reto de producir luz UVE de 13,5 nm

Para comprender la dificultad de generar una radiación ultravioleta estable, basta con analizar el funcionamiento de las máquinas UVE de ASML. En estos equipos, varios láseres de alta potencia calientan instantáneamente decenas de miles de diminutas gotas de estaño en un solo segundo, alcanzando temperaturas de medio millón de grados Celsius. La interacción produce un plasma extremadamente caliente que emite luz ultravioleta de 13,5 nm, la cual se transporta a la oblea mediante un sistema de espejos y lentes de precisión para transferir los patrones de la máscara a la capa de fotorresina.

Analogía con las supernovas

Jayson Stewart, jefe de investigación en ASML, compara el proceso de generación de radiación con el de una supernova. Cuando un láser incide sobre una gota de estaño, la explosión produce una onda de choque similar a la que ocurre cuando el núcleo de una estrella masiva colapsa y provoca una supernova. Aunque la energía de una supernova es diez cuatrillones de veces mayor, las ecuaciones que describen la evolución de ambas explosiones son idénticas, lo que permite a los ingenieros de ASML predecir con precisión el comportamiento del plasma.

El camino chino hacia la autonomía

China está intentando desarrollar su propia versión de esta tecnología, pero la empresa no ha superado a ASML ni ha puesto en marcha equipos de litografía UVE operativos. La creación de una máquina completa requiere resolver desafíos adicionales más allá de la fuente de emisión, aunque la fuente de luz sigue siendo uno de los obstáculos más difíciles de superar. El anuncio de Langdao Silex es un hito importante, pero la producción en serie y la fabricación de chips funcionales están todavía lejos de la realidad.

Perspectivas en memoria DRAM

El Centro de Investigación y Desarrollo de Materiales de China (CXMT) ha declarado estar listo para colocar al país a la vanguardia de la memoria DRAM. Si bien la iniciativa se centra en otro segmento de la industria de semiconductores, su declaración subraya la apuesta del gobierno chino por consolidar su posición en el mercado global de tecnología avanzada.